图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTMFS4934N |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 17.1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5505pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 930mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8DFN EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 29.1 A |
| RDS -于 | 2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 36.2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 39.3 ns |
| 典型下降时间 | 9.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 2@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SO-FL |
| 最大功率耗散 | 7230 |
| 最大连续漏极电流 | 29.1 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17.1A (Ta), 147A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 930mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5505pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTMFS4934NT1GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 5.1mm |
| 最大漏源电阻 | 3 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 69.44 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SO |
| 典型栅极电荷@ VGS | 76.5 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 5505 pF V @ 15 |
| 宽度 | 6.1mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 47.5 A |
| 正向跨导 - 闵 | 80 S |
| RDS（ON） | 3 mOhms |
| 功率耗散 | 2.72 W |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 上升时间 | 36.2 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 系列 | NTMFS4934N |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 mOhms |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 2.72 W |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Id - Continuous Drain Current | 47.5 A |
| 技术 | Si |
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